La conduction par électron et par trou - Le dopage

1)- Représenter schématiquement la structure d'un semi-conducteur de type N, à base de
     Silicium Si dopé au Phosphore P, qui explique la conduction électrique (adapter la figure-2 du
     cours).

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3)- On désire doper du Silicium avec du Gallium par diffusion, à raison de
      1 atome de Gallium pour 1.10¹⁰ atomes de Silicium. Quelle masse de
      Gallium doit-on faire diffuser dans 1000 g de Silicium pur pour réaliser ce
      dopage.

      On donne :
           - masse atomique du Silicium : M_s = 28,0 g/mol
           - masse atomique du Gallium : M_g = 69,7 g/mol
           - nombre d'Avogadro : N_A = 6,02 10²³ mol^-1

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2)- Représenter schématiquement la structure d'un semi-conducteur de type P, à base de
      Silicium Si dopé au Gallium Ga, qui explique la conduction électrique (adapter la figure-3 du
      cours).

Si vous ne savez pas répondre, vous devez revoir le cours  

4)- Le Germanium cristallise dans un réseau à maille cubique de type
      diamant avec une longueur d'arête : a = 5,6575.10^-8 cm.
      A température ambiante, le nombre d'électrons excités, accédant à la
      bande de conduction, est égal à : Nb_ec= 2,51.10^-3 électrons/cm³.
      Calculer la fraction des électrons de la bande de valence qui ont accès
      à la bande de conduction.

      Rappel : Le Germanium, tétravalent, possède 4 électrons de valence (Nb_ea)
      Aide : visualisation de la maille du diamant    

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