Circuits de commande
Le MOS se commande par la tension de grille
v Niveaux de tension : la tension de seuil est de l'ordre de 3,5 à 5 V pour les MOS classiques et de 1,5 à 2,5 pour les MOS dits "à niveau logique" obtenus en réduisant l'épaisseur de l'oxyde de grille
Pour saturer un MOS, il faut une tension Vgs de l'ordre de 10 à 15 V pour les MOS classiques et de 3,5 à 5 V pour les MOS à niveau logique
v Courant de grille : le courant est nul en régime permanent; la capacité de la commande à fournir des pics de courants importants fixe la durée des commutations
Commande par portes logiques
On utilise soit des portes de technologie CMOS soit des portes de technologie TTL à collecteur ouvert :
Les temps de commutation sont très élevés
Dans le cas de portes CMOS, on peut augmenter la rapidité en connectant plusieurs portes en parallèle
Commande par transistors
Les temps de commutation sont de l'ordre de 20 à 200 ns
Commande "Bootstrap"
On utilise ce mode de commande dans le cas où la source du MOS à commander n'est pas reliée à la masse de commande.
Dans le cas de la figure, lorsque T' conduit sa source est au potentiel HT E. Il faut donc appliquer à la grille une tension E + 15 V par rapport à la masse.
Cette tension est obtenue par le circuit D - C. Quand T conduit, D conduit et C se charge sous 15 V. Lorsque T se bloque, D est bloquée et le condensateur alimente la porte CI2 ; on a ainsi V'gs = 15 V donc T' est saturé
