N°	Question		Choix				Réponse
Constitution
1	Dans un transistor PNP, la cathode de la diode JBE est		l'émetteur		la base	le collecteur	la base (N) Cliquez ici
2	La zone la plus dopée est		l'émetteur	la base	le collecteur		l'émetteur Cliquez ici
3	L'épaisseur du collecteur détermine la tenue en tension du transistor		Oui		Non		Oui Cliquez ici
4	Quelle jonction est prévue pour dissiper le plus de puissance ?		JBE		JBC		JBC Cliquez ici
États d'un transistor (on raisonne sur un type NPN)
5	Les conditions pour être à l'état bloqué sont		VBE < Vt et VCE >0		IC = IB = 0		VBE < VT et VCE >0 IC = IB = 0 sont les caractéristiques de l'état bloqué Cliquez ici
6	Dans l'état linéaire b = IC / IB est tel que		b » 1		b » 1		b » 1 Cliquez ici
7	Dans l'état saturé on a :		IC > b. IB		IC <b. IB		IC <b. IB Cliquez ici
Limites d'emploi
8	La tension VCEX est la tension maximale de blocage lorsque		La base est en circuit ouvert		La base est polarisée négativement		La base est polarisée négativement Cliquez ici
9	La puissance maximale ne doit jamais être dépassée		Oui		Non		Non, on peut la dépasser pendant une partie de la période Cliquez ici
10	En commutation, avec une polarisation inverse de la base au blocage, on peut utiliser l'aire		SOA	FBSOA	RBSOA		RBSOA Cliquez ici
Analyse d'un montage On étudie le montage ci-contre : On donne E = 40 V ; R' = 100 W ; pour T linéaire ou saturé Vbe = 0,7 V ; pour T linéaire b = 100
11	Le transistor peut-il être bloqué ?		Oui		Non		Non, car s'il était bloqué on aurait Ib = 0 donc pas de chute de tension dans R et Vbe = 40 V Cliquez ici
12	Quelle est la valeur maximale de Ic ?		0,2 A	0,4 A	1 A		Ic = (E - Vce)/R comme Vce > 0, Ic < 0,4 A Cliquez ici
13	Si R = 100 kW, quel est l'état de T ?		Linéaire		Saturé		Ib = (E-Vbe)/R = 394 µA Si T est saturé Ic = 400 mA et bsat = Ic/Ib = 1 015 > b donc hypothèse fausse T est linéaire ; Ic = b.Ib = 39,4 mA et Vce = E - R.Ic = 36,1 V > Vbe Cliquez ici
14	Quelle est la valeur maximale de R permettant de saturer T ?		1 kW		10 kW	100 kW	Si T est saturé Vce = 0 ; Ic = 400 mA Condition de saturation Ic > b.Ib soit Ib > 4 mA ; R = (E-Vbe)/Ib donne R < 9,85 kW Cliquez ici
Commutations du transistor
15	Le temps de montée est le temps mis par	vce pour passer de E à 0	ic pour passer de 0 à Icsat		ic pour passer de 0,1.Icsat à 0,9.Icsat		ic pour passer de 0,1.Icsat à 0,9.Icsat Cliquez ici
16	Le temps de stockage est le temps mis pour évacuer la charge		totale de la base		la charge due à la saturation		à la charge Qsat Cliquez ici
17	Sur charge inductive, à la fermeture ic augmente après la chute de vce		Oui		Non		Non, car tant que ic < I dans la charge, la diode de roue libre conduit donc vce = E Cliquez ici
18	Une commutation d'ouverture est dite "dure"		lorsqu'elle dure longtemps		lorsqu'elle se fait sous pleine tension		Lorsqu'elle se fait sous pleine tension Cliquez ici
19	Pour améliorer l'ouverture on place		une inductance en série		un condensateur en parallèle		un condensateur en parallèle Cliquez ici
20	Le circuit d'aide à la commutation réduit les pertes dans le transistor		Oui		Non		Oui Cliquez ici
21	Le circuit d'aide à la commutation réduit les pertes globales du montage		Oui		Non		Non car on introduit des résistances dissipant de la puissance. On déplace les pertes du transistor vers les résistances du CALC et on en crée même des supplémentaires dans ces résistances Cliquez ici