Commutation sur charge inductive
La charge est suffisamment inductive pour assurer un courant continu dans sa branche; elle est modélisée par une source de courant.
La continuité de I impose de placer une diode de roue libre D pour assurer la passage du courant lorsque le transistor T est bloqué.
Commutation de fermeture
à t = 0, la tension de commande eb devient positive.
v première phase : déblocage de la jonction JBE; ic = 0 donc D conduit imposant u = 0 et vce = E. Cette phase dure td.
Commutation de fermeture
v deuxième phase : croissance de ic ; tant que ic < I, id = I - ic > 0 donc D conduit imposant u = 0 et vce = E. Lorsque ic = I la diode se bloque et son recouvrement inverse crée un courant id < 0 ; on a donc une surintensité dans le transistor avec ic > I. Cette phase dure tr.
Commutation de fermeture
v troisième phase : D est bloquée, ic = I, id = 0 . La tension vce peut alors diminuer au fur et à mesure de la saturation de T
Commutation d'ouverture
à t' = t - T = 0, la tension de commande eb s'annule
v première phase : évacuation de la charge Qsat; ic = I = Cste , vce = 0 donc u = E imposant le blocage de D ; cette phase dure ts
Commutation d'ouverture
v deuxième phase : décroissance de ic; dès que ic < I, id > 0 donc D conduit imposant u = 0 donc vce = E; le transistor est dans l'état linéaire.
Cette phase dure tf.
Commutation dure
La continuité de I impose que D et T conduisent durant les deux commutations; on a alors u = 0 donc vce = E.
Durant les commutations, le transistor est dans l'état linéaire donc dissipe de la puissance.
Le passe d'un état à l'autre se fait suivant les trajets dans le plan ic(vce) représentés ci-dessus. Ces trajets imposent de rester dans les limites de l'aire de sécurité FBSOA. Il faut également tenir compte dans le choix du transistor de
