1- La compacité. Il existe trois réseaux cubiques qui ont des compacités différentes.
a- Proposer les noms des deux réseaux de compacité 0,52 et
0,74 : ………………………… ………………………
b- Donner(1) la coordinance dans les deux cas : ………………......…….
………………………
c- Donner(1) le nombre d’atomes dans la maille (préciser la fraction de chacun) dans les deux cas.
d- Démontrer(1) les relations τ = f (π) et a = f(r), avec a paramètre de maille et r rayon de l’atome.
(1) Pour répondre aux questions suivantes, proposer une expression mathématique
expliquée par une phrase et/ou un dessin,
puis
une
expression et enfin
une valeur numérique.
2- Étude des systèmes cubiques.
A partir de la mesure de la masse volumique.
a- Donner le mode du réseau cubique du cuivre si l’on a une masse volumique de 8,93 g.cm-3
et un paramètre de maille a = 361,5 pm
(M = 63,54 g.mol-1).
b- Calculer sa masse volumique théorique et par comparaison avec la valeur expérimentale proposer un type de défauts (le nombre
d’Avogadro est à connaitre).
c- Calculer le rayon de l’atome de Cuivre si l’on prend le modèle idéal des sphères en contact.
3- Les systèmes cristallins. Donner le nom des 7 systèmes cristallins et donner le(s) paramètre(s) minimum pour le définir.
nom : ………………………………….…… paramètre(s) …………………………………….……….
nom : ………………………………….…… paramètre(s) …………………………………….……….
nom : ………………………………….…… paramètre(s) …………………………………….……….
nom : ………………………………….…… paramètre(s) …………………………………….……….
nom : ………………………………….…… paramètre(s) …………………………………….……….
nom : ………………………………….…… paramètre(s) …………………………………….……….
nom : ………………………………….…… paramètre(s) …………………………………….……….
Quels sont les noms et la symbolisation des différents modes possibles ?
……………………………………………………………………………………………………........……….
4- Utilisation des indices de Miller. Compléter le tableau proposé.
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N° des raies |
Rapport = d1 / dn |
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plans |
h2 + k2 + l2 |
P |
I |
F |
P |
I |
F |
dhkl |
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100 |
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1 |
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√9 |
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ne |
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12 |
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pas |
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remplir |
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422 |
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√24 |
√12 |
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Les valeurs
indiquées permettent de contrôler le remplissage du tableau et d'éviter les
erreurs.
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On donne les valeurs d’un enregistrement sur un appareil RX du composé cristallin LiI de système cubique. a- Déterminer le mode de réseau et l’indiquer sur la figure proposée. b- Indiquer les indices de Miller des plans signalés par des pointillés. c- Trouver pour la raie manquante (n° 9) : d- Proposer l’angle donné par l’appareil RX = …….…. dhkl = a / … ou d1 / … = ……………………………
plan : …………………
(λRX
= 154,1 pm) |
![]() |
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N° raie |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
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angle lu |
25,70° |
29,76° |
42,58° |
50,40° |
52,81° |
61,80° |
68,06° |
70,08° |
.......... |
83,69° |
93,15° |
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dhkl en pm |
180,9 |
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dhkl = f(a) |
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plan |
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Cocher les cases qui s'appliquent |
conductivité électrique élevée
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résistance à la corrosion
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légèreté et bonne résistance mécanique
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transmission de la lumière
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résistance mécanique élevée
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faible conductivité thermique
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Composite carbone-carbone (aéronautique) |
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Acier (bâtiment) |
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Cuivre pur (électricité) |
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Alumine - Al2O3 (industrie thermique) |
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Verre sodocalcique |
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Acier inoxydable |
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| a- La conductivité électrique est la plus élevée pour............................................ : |
les métaux
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les alliages
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| b- Lorsque la température augmente, la conductivité électrique des métaux... : |
augmente
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diminue
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| c- Lequel de ces métaux a une structure cristalline de type cubique centrée... : |
Fer α
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plomb
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cuivre
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| a- Le verre normal solide à une structure....................................................................... | amorphe |
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cristalline |
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| b- Après l'ajout d'oxyde sodium dans un verre à base de silice la température de fusion.. | augmente |
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diminue |
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| c- Dans une céramique les liaisons sont préférentiellement......................................... | ioniques |
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ionocovalentes |
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covalentes |
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| d- La conductivité thermique du graphite est plus élevée dans la direction parallèle aux feuillets ou perpendiculaire aux feuillets................................ |
parallèle |
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perpendiculaire |
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| e- Indiquer sur la figure ci-contre où se trouve le point de transition vitreuse : |
![]() |
| a- Quel type de dopage augmente le nombre d'électrons libres dans un semi-conducteur : |
type P
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type N
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| b- Quel est le nom de la bande d'énergie entre la bande de valence et celle de conduction : |
.................................
|
ou |
............
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